«Intel договорилась с ASML о поставке оборудования для запуска техпроцесса 18A в 2025 году»

При новом генеральном директоре корпорация Intel перестала скрывать, что собирается стать первым покупателем литографического оборудования ASML, сочетающего сверхжёсткое ультрафиолетовое излучение с высоким числовым значением апертуры. На этой неделе компании подтвердили, что договорённость о поставке такого оборудования к 2025 году действительно достигнута.

Источник изображения: ASML

Для Intel это означает, что она не только опередит конкурентов в лице TSMC и Samsung по срокам освоения так называемой High NA литографии, но и получит необходимое оборудование к 2025 году. Новое поколение литографии Intel намеревается применить при производстве с использованием техпроцесса 18A. Ещё в рамках предшествующей технологии 20A компания добавит использование структуры транзисторов RibbonFET и метод размещения силовой разводки PowerVia с оборотной стороны кристалла. Эти два этапа эволюции фирменной литографии будут освоены к первой половине 2024 года, но переход на EUV-литографию с высоким значением апертуры состоится лишь в 2025 году. Теперь это подтверждается и совместным заявлением с ASML.

Холдинг из Нидерландов к этому сроку обязуется передать Intel первый литографический сканер серии TWINSCAN EXE:5200, который обеспечит работу со значением апертуры 0,55 и обработку более 200 кремниевых пластин в час. Разумеется, одной литографической машиной сотрудничество компаний в этой сфере не ограничится, и в дальнейшем поставки сканеров данной серии продолжатся. Сканеры предыдущего поколения обеспечивают значение апертуры не более 0,33, а потому переход на машины нового семейства позволит увеличить разрешающую способность оборудования и создавать ещё более мелкие полупроводниковые структуры.

Корпорация Intel ранее сообщала, что её техпроцессом 18A уже заинтересовались клиенты, связанные с оборонными заказами США. Предполагается, что освоить соответствующую литографическую технологию компании помогут специалисты IBM, а первое предприятие по выпуску компонентов данного класса предсказуемо расположится на территории США.

Источник